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                新闻中心

                IBM(IBM.US)联手三星发布“突破性”芯片设计,可减少85%能耗

                12月16日讯,近期,IBM(IBM.US)表示,其与三星合作在半导体设计上取得了“突破”,在旧金山举行的IEDM会议的第一天,这两家公司公布了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新设计,这种设计可以减少85%的能源消耗。

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                据悉,IBM与韩国三星共同发布“垂直传输场效⌒应晶体管”(VTFET) 芯片设计。与当前的鳍式场㊣ 效应晶体管(FinFET)相比,VTFET有望带来翻倍的性能,减少85%能耗。IBM和三星声称,该工艺有朝一日可能允许手机在一次充电的情况下使用一整个星期,更加省电,从而减少对环境的影响。

                IBM在新闻稿中列出了这项技术带来的潜在好处,包括:开∩发新的芯片架构,延长手机待机时间至一个☆多星期,扩展物联网(IoT)应用,减少能源密集型流程的能耗等。